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Microchip Technology
MRF581
283-MRF581
PDF 데이터시트
Trans RF BJT NPN 18V 0.2A 1250mW 4-Pin Macro-X
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single Dual Emitter
PCB changed
4
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)
100000
Typical Power Gain (dB)
15.5
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
18
ECCN
EAR99
Maximum DC Collector Current Range (A)
0.12 to 0.5
FAQ
MRF581에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
MRF581에 현재 표시된 전압 관련 사양은 18입니다.
MRF581은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
MRF581은(는) 현재 재고가 있나요?
MRF581은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
MRF581의 장착 방식은 무엇인가요?
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