Microchip Technology
JANS2N2857UB
양극성 RF 트랜지스터
JANS2N2857UB
283-JANS2N2857UB
Microchip Technology-JANS2N2857UB-datasheets-13695737.pdf
Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB
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기술 사양
PCB changed
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)
HTS
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
ECCN (US)
Maximum DC Collector Current Range (A)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Maximum Noise Figure (dB)
Package Height
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
EU RoHS
Maximum Collector Base Voltage (V)
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)
Maximum Emitter Base Voltage (V)
재료
Package Length
Supplier Temperature Grade
Pin Count
Mounting
유형
Minimum DC Current Gain
Minimum DC Current Gain Range
Maximum DC Collector Current (A)
Part Status
Package Width
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
Operational Bias Conditions
JANS2N2857UB 서류
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