Microchip Technology
JAN2N6301
단일 양극성 트랜지스터
JAN2N6301
276-JAN2N6301
Microchip Technology-JAN2N6301-datasheets-6304916.pdf
TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66
재고 : 2595
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기술 사양
작동 온도
빈도 - 전환
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
ECCN
등급
장착 유형
제품상태
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
공급자 장치 패키지
시리즈
자격
트랜지스터 유형
패키지/케이스
전력 - 최대
REACH 상태
제조업체
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
HTSUS
패키지
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
구성
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
ECCN (US)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Package Height
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
EU RoHS
Maximum Collector Base Voltage (V)
Maximum Emitter Base Voltage (V)
Package Length
Supplier Temperature Grade
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
유형
Minimum DC Current Gain
Tab
Part Status
Package Width
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
JAN2N6301 서류
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Mult Dev Assembly Site 23/Jan/2024 Microchip CA Prop65 Microchip RoHS Microchip REACH 관련 부품
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