영어
독일 사람
일본어
포르투갈 인
멕시코
네덜란드 사람
Microchip Technology
JAN2N4957
283-JAN2N4957
PDF 데이터시트
Trans RF BJT PNP 30V 0.03A 200mW Bag
22 weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
.png)
기술 사양
구성
Single
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)
100000
HTS
8541.21.00.75
Typical Power Gain (dB)
25
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum DC Collector Current Range (A)
0.001 to 0.06
FAQ
JAN2N4957은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
JAN2N4957은(는) 현재 Bag 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
JAN2N4957의 표준 리드타임은 얼마인가요?
JAN2N4957은(는) 현재 재고가 있나요?
JAN2N4957의 장착 방식은 무엇인가요?
JAN2N4957은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
빠른 견적
RFQ 목록에 추가
온라인으로 구매할 수 없나요? 더 낮은 도매가를 원하시나요? 최적의 가격을 얻으려면 RFQ를 보내주십시오. 즉시 응답해 드리겠습니다.
빠른 견적 요청
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
