Microchip Technology_JAN1N6461US

Microchip Technology
JAN1N6461US  
TVS 다이오드

JAN1N6461US
144-JAN1N6461US
Ersa
Microchip Technology-JAN1N6461US-datasheets-699723.pdf
TVS DIODE 5VWM 9VC B SQ-MELF
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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001

기술 사양

전류 - 피크 펄스(10/1000μs)
전압 - 항복(최소)
제품상태
전력 - 피크 펄스
공급자 장치 패키지
패키지/케이스
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp
전압 - 역 스탠드오프(일반)
REACH 상태
단방향 채널
제조업체
RoHS 현황
전력선 보호
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
응용
커패시턴스 @ 주파수
ECCN
등급
장착 유형
시리즈
유형
자격
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
Peak Pulse Power Dissipation (W)
구성
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Minimum Breakdown Voltage (V)
PPAP
Maximum Reverse Leakage Current (uA)
Automotive
Direction Type
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Peak Pulse Current (A)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Package Height
EU RoHS
Test Current (mA)
Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Package Length
Supplier Temperature Grade
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
Part Status
SVHC
Maximum Clamping Voltage (V)
Package Width

JAN1N6461US 서류

다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. JAN1N6461US

Ersa Manufacturing Change 23/Feb/2021      
Ersa 1N6461-6468US      
Ersa 1N6461-6468US      
Ersa Microchip CA Prop65       Microchip RoHS       Microchip REACH      

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