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Microchip Technology
JAN1N5807US
280-JAN1N5807US
PDF 데이터시트
DIODE GEN PURP 50V 6A B SQ-MELF
34 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
속도
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr F
60pF @ 10V, 1MHz
Reverse Recovery Time(trr)
30 ns
ECCN
EAR99
등급
Military
장착 유형
Surface Mount
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
B, SQ-MELF
FAQ
JAN1N5807US은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
JAN1N5807US은(는) 현재 SQ-MELF, B 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
JAN1N5807US에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
JAN1N5807US의 표준 리드타임은 얼마인가요?
JAN1N5807US에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
JAN1N5807US은(는) 무엇인가요?
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