Microchip Technology
GRP-DATA-JANS2N3637UB
단일 양극성 트랜지스터
GRP-DATA-JANS2N3637UB
276-GRP-DATA-JANS2N3637UB
Microchip Technology-GRP-DATA-JANS2N3637UB-datasheets-14271057.pdf
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 4-Pin Case UB Waffle
재고 : 2
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기술 사양
Category
구성
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
ECCN (US)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Package Height
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
EU RoHS
Maximum Collector Base Voltage (V)
Maximum Emitter Base Voltage (V)
재료
Package Length
Supplier Temperature Grade
Pin Count
Mounting
유형
Minimum DC Current Gain
Operating Junction Temperature (°C)
Maximum DC Collector Current (A)
Part Status
패키지
Package Width
GRP-DATA-JANS2N3637UB 서류
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