Microchip Technology
APT25GP90BDQ1G
단일 IGBT
APT25GP90BDQ1G
279-APT25GP90BDQ1G
Microchip Technology-APT25GP90BDQ1G-datasheets-1160096.pdf
IGBT 900V 72A 417W TO247
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기술 사양
구성
PPAP
제품상태
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
Automotive
Supplier Package
패키지/케이스
REACH 상태
채널 유형
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
EU RoHS
IGBT 유형
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
테스트 조건
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
ECCN
장착 유형
Standard Package Name
전류 - 컬렉터 펄스(Icm)
Pin Count
Mounting
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
게이트 차지
Lead Shape
HTSUS
패키지
PCB changed
HTS
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Td(켜기/끄기) @ 25°C
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Package Height
제조업체
RoHS 현황
입력 유형
스위칭 에너지
Maximum Continuous Collector Current (A)
Package Length
시리즈
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
Tab
전력 - 최대
Part Status
Package Width
기본 제품 번호
장착 스타일
RoHS
Minimum Operating Temperature
기술
Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Continuous Collector Current at 25 C
Maximum Operating Temperature
Pd - Power Dissipation
USHTS
Maximum Gate Emitter Voltage
APT25GP90BDQ1G 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. APT25GP90BDQ1G
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