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Microchip Technology
2N4957UB
283-2N4957UB
PDF 데이터시트
Trans RF BJT PNP 30V 0.03A 200mW 4-Pin Case UB Waffle
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single
PCB changed
4
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)
100000
HTS
8541.21.00.75
Typical Power Gain (dB)
25(Max)
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
FAQ
2N4957UB은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
2N4957UB은(는) 현재 Waffle 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
2N4957UB에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
2N4957UB에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
2N4957UB의 장착 방식은 무엇인가요?
2N4957UB은(는) 현재 재고가 있나요?
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