


Microchip Technology
2N4957UB
283-2N4957UB
PDF 데이터시트
Trans RF BJT PNP 30V 0.03A 200mW 4-Pin Case UB Waffle
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
구성
Single
PCB changed
4
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)
100000
HTS
8541.21.00.75
Typical Power Gain (dB)
25(Max)
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
FAQ
2N4957UB에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
2N4957UB에 현재 표시된 전압 관련 사양은 30입니다.
2N4957UB은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
2N4957UB은(는) 무엇인가요?
2N4957UB의 장착 방식은 무엇인가요?
2N4957UB은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?



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