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Microchip Technology
2N4957
283-2N4957
PDF 데이터시트
Trans RF BJT PNP 30V 0.03A 200mW Bag
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1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)
100000
HTS
8541.29.00.95
Typical Power Gain (dB)
25
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum DC Collector Current Range (A)
0.001 to 0.06
FAQ
2N4957에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
2N4957에 현재 표시된 전압 관련 사양은 30입니다.
2N4957은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
2N4957은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
2N4957에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
2N4957은(는) 현재 재고가 있나요?
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