Microchip Technology
2N2907
단일 양극성 트랜지스터
2N2907
276-2N2907
Microchip Technology-2N2907-datasheets-1074966.pdf
SMALL-SIGNAL BJT
재고 : 383
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기술 사양
구성
HTS
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
ECCN (US)
PPAP
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
제품상태
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
공급자 장치 패키지
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
트랜지스터 유형
패키지/케이스
REACH 상태
제조업체
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
EU RoHS
작동 온도
Maximum Collector Base Voltage (V)
빈도 - 전환
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
ECCN
Maximum Emitter Base Voltage (V)
재료
장착 유형
Standard Package Name
시리즈
유형
Minimum DC Current Gain
Maximum DC Collector Current (A)
전력 - 최대
Part Status
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
HTSUS
패키지
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
장착 스타일
Transistor Polarity
Continuous Collector Current
Minimum Operating Temperature
Emitter- Base Voltage VEBO
Maximum DC Collector Current
기술
Gain Bandwidth Product fT
DC Current Gain hFE Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector- Base Voltage VCBO
Maximum Operating Temperature
DC Collector/Base Gain hfe Min
Pd - Power Dissipation
USHTS
2N2907 서류
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Mult Dev Assembly Site 23/Jan/2024 Microchip CA Prop65 Microchip RoHS Microchip REACH 관련 부품
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