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Microchip Technology
1N5809US
280-1N5809US
PDF 데이터시트
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
34 Weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
.png)
기술 사양
Peak Reverse Recovery Time (ns)
30
역복구 시간(trr)
30 ns
구성
Single
PCB changed
2
HTS
8541.10.00.50
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
제품상태
Active
FAQ
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1N5809US은(는) 무엇인가요?
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