Microchip Technology_1N5802US

Microchip Technology
1N5802US  
단일 다이오드

1N5802US
280-1N5802US
Ersa
Microchip Technology-1N5802US-datasheets-10389285.pdf
DIODE GEN PURP 50V 1A D-5A
재고 : 4

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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001

기술 사양

구성
PPAP
제품상태
Automotive
Supplier Package
패키지/케이스
Peak Forward Voltage (V)
기술
REACH 상태
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
EU RoHS
Maximum Continuous Forward Current (A)
전류 - 정류된 평균(Io)
작동 온도 - 접합
수분 민감도 수준(MSL)
커패시턴스 @ Vr, F
ECCN
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Standard Package Name
전류 - 역방향 누설 @ Vr
Pin Count
Mounting
Lead Shape
SVHC
HTSUS
패키지
Peak Reverse Recovery Time (ns)
역복구 시간(trr)
PCB changed
HTS
ECCN (US)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Package Height
제조업체
RoHS 현황
Maximum DC Reverse Voltage (V)
속도
SVHC Exceeds Threshold
Peak Reverse Current (uA)
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
Package Length
시리즈
유형
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If
Part Status
Package Width
기본 제품 번호
장착 스타일
제품
If - Forward Current
USHTS
RoHS

1N5802US 서류

다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. 1N5802US

Ersa Manufacturing Change 23/Feb/2021      
Ersa 1N5802, 04US, 06US/URS      
Ersa 1N5802, 04US, 06US/URS      
Ersa Microchip CA Prop65       Microchip RoHS       Microchip REACH      

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