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MagnaChip Semiconductor
MDD4N20YRH
278-MDD4N20YRH
PDF 데이터시트
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
8 weeks
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책임 있는 품질
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기술 사양
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
148@25V
Category
Power MOSFET
구성
Single
PCB changed
2
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
11
HTS
8541.29.00.95
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Number of Elements per Chip
1
FAQ
MDD4N20YRH에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
MDD4N20YRH에 현재 표시된 전압 관련 사양은 ±20입니다.
MDD4N20YRH의 표준 리드타임은 얼마인가요?
MDD4N20YRH에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
MDD4N20YRH은(는) 무엇인가요?
MDD4N20YRH은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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