International Rectifier_IRF123
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International Rectifier
IRF123

278-IRF123
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N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
600 pF @ 25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
15 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-3
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전력 소비(최대)
40W (Tc)
패키지/케이스
TO-204AA, TO-3
더 보기

FAQ

IRF123의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 IRF123의 장착 방식은 Through Hole입니다.
IRF123은(는) 무엇인가요?
IRF123에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
IRF123에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
IRF123은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
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