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Infineon Technologies
SPB10N10 G
285-SPB10N10 G
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Status
Obsolete(EOL)
Max Gate Charge
19.4nC @ 10V
Continuous Drain Current at 25°C
10.3A (Tc)
Dimension
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Max Input Capacitance
426pF @ 25V
Gate-Source Threshold Voltage
4V @ 21μA
Mounting
SMD (SMT)
전력 소비(최대)
50W (Tc)
FAQ
SPB10N10 G은(는) 무엇인가요?
SPB10N10 G은(는) Infineon Technologies의 RF FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
SPB10N10 G의 장착 방식은 무엇인가요?
SPB10N10 G은(는) 현재 재고가 있나요?
SPB10N10 G에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SPB10N10 G은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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