Infineon Technologies_IRF135B203
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Infineon Technologies
IRF135B203

278-IRF135B203
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MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

구성
Single
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
114
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
9700 pF @ 50 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Typical Rise Time (ns)
73
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
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FAQ

IRF135B203의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 IRF135B203의 장착 방식은 Through Hole입니다.
IRF135B203은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
IRF135B203에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
IRF135B203의 표준 리드타임은 얼마인가요?
IRF135B203에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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