영어
독일 사람
일본어
포르투갈 인
멕시코
네덜란드 사람
Infineon Technologies
IPD60R3K4CEAUMA1
278-IPD60R3K4CEAUMA1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
20 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
.png)
기술 사양
구성
Single
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
40
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
93 pF @ 100 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Typical Rise Time (ns)
10
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
FAQ
IPD60R3K4CEAUMA1의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 IPD60R3K4CEAUMA1의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
IPD60R3K4CEAUMA1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
IPD60R3K4CEAUMA1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
IPD60R3K4CEAUMA1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
IPD60R3K4CEAUMA1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
빠른 견적
RFQ 목록에 추가
온라인으로 구매할 수 없나요? 더 낮은 도매가를 원하시나요? 최적의 가격을 얻으려면 RFQ를 보내주십시오. 즉시 응답해 드리겠습니다.
빠른 견적 요청
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
