Infineon Technologies_IPB65R660CFDAATMA1
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Infineon Technologies
IPB65R660CFDAATMA1

278-IPB65R660CFDAATMA1
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MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

구성
Single
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
40
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
543 pF @ 100 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Typical Rise Time (ns)
8
PPAP
Unknown
Channel Mode
Enhancement
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FAQ

IPB65R660CFDAATMA1은(는) 현재 재고가 있나요?
예. 현재 IPB65R660CFDAATMA1의 재고는 928개로 표시됩니다.
IPB65R660CFDAATMA1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
IPB65R660CFDAATMA1의 장착 방식은 무엇인가요?
IPB65R660CFDAATMA1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
IPB65R660CFDAATMA1은(는) 무엇인가요?
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