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Infineon Technologies
IPB65R095C7ATMA1
278-IPB65R095C7ATMA1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2140 pF @ 400 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 10 V
제품상태
Discontinued at Digi-Key
공급자 장치 패키지
PG-TO263-3
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전력 소비(최대)
128W (Tc)
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
FAQ
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