Infineon Technologies_IPB60R230P6ATMA1
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Infineon Technologies
IPB60R230P6ATMA1

278-IPB60R230P6ATMA1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1450 pF @ 100 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
31 nC @ 10 V
제품상태
Obsolete
공급자 장치 패키지
PG-TO263-3-1
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전력 소비(최대)
126W (Tc)
패키지/케이스
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
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FAQ

IPB60R230P6ATMA1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
예. 관련 제품 데이터가 있는 경우 이 페이지에 관련 부품 또는 대체 부품이 표시될 수 있습니다.
IPB60R230P6ATMA1의 장착 방식은 무엇인가요?
IPB60R230P6ATMA1은(는) 무엇인가요?
IPB60R230P6ATMA1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
IPB60R230P6ATMA1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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