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Infineon Technologies
IPB47N10S-33
285-IPB47N10S-33
SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Drain Source Voltage
100V
Vgs (Maximum)
±20V
Rds On (Maximum) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 33A, 10V
Gate Charge (Qg) (Maximum) @ Vgs
105nC @ 10V
Estimated EOL Date
2019
Manufacturer Package
PG-TO263-3-2
Operating Temperature Range
-55°C ~ 175°C (TJ)
ECCN
EAR99
FAQ
IPB47N10S-33에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
IPB47N10S-33에 현재 표시된 전압 관련 사양은 100V입니다.
IPB47N10S-33은(는) 무엇인가요?
IPB47N10S-33에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
IPB47N10S-33은(는) 현재 재고가 있나요?
IPB47N10S-33은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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