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Infineon Technologies
IPB26CNE8N G
285-IPB26CNE8N G
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Max Gate Charge
31nC @ 10V
Continuous Drain Current at 25°C
35A (Tc)
Dimension
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Max Input Capacitance
2070pF @ 40V
Gate-Source Threshold Voltage
4V @ 39μA
Mounting
SMD (SMT)
전력 소비(최대)
71W (Tc)
Maximum Gate-Source Voltage
±20V
FAQ
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IPB26CNE8N G은(는) 무엇인가요?
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