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Infineon Technologies
IPB180N04S4LH0ATMA1
278-IPB180N04S4LH0ATMA1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
12 Weeks
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single Quint Source
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
120
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
24440 pF @ 25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Typical Rise Time (ns)
30
PPAP
Unknown
Channel Mode
Enhancement
FAQ
IPB180N04S4LH0ATMA1은(는) 현재 재고가 있나요?
예. 현재 IPB180N04S4LH0ATMA1의 재고는 68개로 표시됩니다.
IPB180N04S4LH0ATMA1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
IPB180N04S4LH0ATMA1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
IPB180N04S4LH0ATMA1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
IPB180N04S4LH0ATMA1은(는) 무엇인가요?
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