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Infineon Technologies
IPB100N08S207ATMA1
278-IPB100N08S207ATMA1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
4700 pF @ 25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
200 nC @ 10 V
제품상태
Last Time Buy
공급자 장치 패키지
PG-TO263-3-2
드레인-소스 전압(Vdss)
75 V
전력 소비(최대)
300W (Tc)
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
FAQ
IPB100N08S207ATMA1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
IPB100N08S207ATMA1에 현재 표시된 전압 관련 사양은 75 V입니다.
IPB100N08S207ATMA1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
IPB100N08S207ATMA1은(는) 현재 재고가 있나요?
IPB100N08S207ATMA1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
IPB100N08S207ATMA1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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