Infineon Technologies_IMLT65R060M2HXTMA1
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Infineon Technologies
IMLT65R060M2HXTMA1

278-IMLT65R060M2HXTMA1
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A T/R
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
669@400V
Category
Power MOSFET
구성
Single Octal Drain Seven Source
Maximum Gate Source Voltage (V)
23
Maximum Drain Source Voltage (V)
650
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
13.7
HTS
8541.29.00.95
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
73@18V
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FAQ

IMLT65R060M2HXTMA1의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 IMLT65R060M2HXTMA1의 장착 방식은 SMD/SMT입니다.
IMLT65R060M2HXTMA1은(는) 현재 재고가 있나요?
IMLT65R060M2HXTMA1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
IMLT65R060M2HXTMA1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
IMLT65R060M2HXTMA1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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