영어
독일 사람
일본어
포르투갈 인
멕시코
네덜란드 사람
Infineon Technologies
GS-065-018-2-L-MR
278-GS-065-018-2-L-MR
PDF 데이터시트
GaN FETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
18 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
.png)
기술 사양
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
트랜지스터 유형
E-Mode
Moisture Sensitive
Yes
Minimum Operating Frequency
0 Hz
기술
GaN
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 7 V
Id - Continuous Drain Current
18 A
ECCN
EAR99
FAQ
GS-065-018-2-L-MR에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
GS-065-018-2-L-MR에 현재 표시된 전압 관련 사양은 650 V입니다.
GS-065-018-2-L-MR은(는) 현재 재고가 있나요?
GS-065-018-2-L-MR은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
GS-065-018-2-L-MR의 표준 리드타임은 얼마인가요?
GS-065-018-2-L-MR은(는) 무엇인가요?
빠른 견적
RFQ 목록에 추가
온라인으로 구매할 수 없나요? 더 낮은 도매가를 원하시나요? 최적의 가격을 얻으려면 RFQ를 보내주십시오. 즉시 응답해 드리겠습니다.
빠른 견적 요청
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
