Infineon Technologies_BSP296E6327
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Infineon Technologies
BSP296E6327

278-BSP296E6327
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MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
364 pF @ 25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
제품상태
Obsolete
공급자 장치 패키지
PG-SOT223-4
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전력 소비(최대)
1.79W (Ta)
패키지/케이스
TO-261-4, TO-261AA
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FAQ

BSP296E6327에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
BSP296E6327에 현재 표시된 전압 관련 사양은 100 V입니다.
BSP296E6327은(는) 무엇인가요?
BSP296E6327은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
BSP296E6327의 장착 방식은 무엇인가요?
BSP296E6327은(는) 현재 재고가 있나요?
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