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Infineon Technologies
BSG0810NDIATMA1
289-BSG0810NDIATMA1
PDF 데이터시트
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8
22 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
4.3@Q1|8@Q2
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1040pF @ 12V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Typical Rise Time (ns)
4.7@Q1|4@Q2
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
FAQ
BSG0810NDIATMA1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
BSG0810NDIATMA1에 현재 표시된 전압 관련 사양은 25V입니다.
BSG0810NDIATMA1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
BSG0810NDIATMA1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
BSG0810NDIATMA1의 장착 방식은 무엇인가요?
BSG0810NDIATMA1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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