Infineon Technologies_BFS460L6E6327
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Infineon Technologies
BFS460L6E6327

283-BFS460L6E6327
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TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Mounting
SMD (SMT)
Typical Gain (hFE) (Min)
90 @ 20mA, 3V
빈도 - 전환
22GHz
VCEO Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage
5.8V
Maximum Power Dissipation
200mW
잡음 지수(dB 일반 @ f)
1.1dB to 1.4dB @ 1.8GHz to 3GHz
Transistor Polarity
2 NPN (Dual)
패키지
Reel - TR
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FAQ

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