Goford Semiconductor_GT1003D
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Goford Semiconductor
GT1003D

278-GT1003D
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N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
212 pF @ 50 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
SOT-23-3L
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전력 소비(최대)
2W (Tc)
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FAQ

GT1003D에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
GT1003D에 현재 표시된 전압 관련 사양은 100 V입니다.
GT1003D은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
GT1003D은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
GT1003D의 장착 방식은 무엇인가요?
GT1003D은(는) 현재 재고가 있나요?
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