
Diodes Incorporated
DMG6601LVT-7
289-DMG6601LVT-7
PDF 데이터시트
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
8 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
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B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
구성
N and P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
31.2@Q 1|18.3@Q 2
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
422pF @ 15V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
12.3nC @ 10V
Typical Rise Time (ns)
7.4@Q 1|4.6@Q 2
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
FAQ
DMG6601LVT-7은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
DMG6601LVT-7은(는) 현재 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
DMG6601LVT-7은(는) 현재 재고가 있나요?
DMG6601LVT-7에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
DMG6601LVT-7은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
DMG6601LVT-7의 표준 리드타임은 얼마인가요?



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