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CEL (California Eastern Laboratories)
CE3520K3-C1
285-CE3520K3-C1
PDF 데이터시트
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
7 Weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single Dual Source
PCB changed
4
HTS
8541.29.00.95
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
10000
Typical Power Gain (dB)
13.8
Number of Elements per Chip
1
전류 정격(암페어)
15mA
ECCN (US)
EAR99
FAQ
CE3520K3-C1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
CE3520K3-C1은(는) 현재 4-Micro-X 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
CE3520K3-C1은(는) 현재 재고가 있나요?
CE3520K3-C1의 장착 방식은 무엇인가요?
CE3520K3-C1은(는) 무엇인가요?
CE3520K3-C1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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