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CEL (California Eastern Laboratories)
CE3520K3
285-CE3520K3
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Trans RF FET 4V 0.057A 4-Pin Micro-X T/R
10 weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Single Dual Source
PCB changed
4
HTS
8541.21.00.95
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
10000
Typical Power Gain (dB)
13.8
Number of Elements per Chip
1
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
FAQ
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