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Broadcom
ATF-501P8-TR1
285-ATF-501P8-TR1
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, MO-229, 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8
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책임 있는 품질
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기술 사양
Contact Plating
Tin, Matte
Continuous Drain Current (ID)
1A
드레인-소스 전압(Vdss)
7V
빈도
2GHz
얻다
15dB
Gate to Source Voltage (Vgs)
800mV
Lead Free
Lead Free
Max Operating Temperature
150°C
FAQ
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