


왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
구성
Dual Dual Drain Dual Gate Common Source
PCB changed
16
HTS
8541.29.00.75
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
140
Typical Power Gain (dB)
17
Number of Elements per Chip
2
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
FAQ
BLP8G27-10Z은(는) 무엇인가요?
BLP8G27-10Z은(는) Ampleon의 RF FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
BLP8G27-10Z의 장착 방식은 무엇인가요?
BLP8G27-10Z에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
BLP8G27-10Z은(는) 현재 재고가 있나요?
BLP8G27-10Z에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?



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