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단일 FET, MOSFET
(15 결과)이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 S2M0025120DSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 2 | - | |
 S2M0080120DSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 25 | - | |
 S2M0080120KSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 260 | - | |
 S2M0025120KSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 6 | - | |
 S2M0040120DSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 221 | - | |
 S2M0040120KSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 22 | - | |
S2M0120120JSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 재고 | - | |
S2M0160120DSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 300 | - | |
S2M0080120NSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 36 | - | |
S2M0120120KSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 300 | - | |
S2M0120120DSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 재고 | - | |
 S2M0080120JSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 2 | - | |
S2M0160120KSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 300 | - | |
S2M0160120JSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 재고 | - | |
 S2M0025120JSingle FETs, MOSFETs | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 5 | - |
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