FET, MOSFET 어레이

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전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.

부분 #	제조업체	설명	유효성	가격
GCMX005A120B3B1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module	재고	-
GCMX010A120B3B1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module	재고	-
GCMX040A120B2H1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module	재고	-
GCMX020A120B3H1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module	재고	-
GCMX080A120B2H1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module	43	-
GCMX010A120B2B1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module	재고	-
GCMX020B120S1-E1 FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227	재고	-
GCMX020A120B2B1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module	42	-
GCMX020A120B2H1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module	재고	-
GCMX040A120B3H1P FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module	5	-
GCMX005A120S7B1 FET, MOSFET Arrays	SemiQ	MOSFET Modules SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module	재고	-