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양극성 RF 트랜지스터
(6 결과)양극성 RF 트랜지스터는 무선 주파수와 관련된 장비에서 신호를 전환하거나 증폭하는 데 사용되는 3개의 단자가 있는 반도체 장치입니다. 바이폴라 접합 트랜지스터는 NPN 또는 PNP로 설계되었으며 트랜지스터 유형, 컬렉터-에미터 항복 전압, 전이 주파수, 잡음 지수, 이득, 전력, DC 전류 이득 및 컬렉터 전류의 특성을 갖습니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 ON5040Bipolar RF Transistors | Rochester Electronics | ON5040 - RF POWER TRANSISTOR (AM | 재고 | - | |
MX0912B251YBipolar RF Transistors | Rochester Electronics | MX0912B251Y - NPN SILICON RF POW | 재고 | - | |
 CA3046Bipolar RF Transistors | Rochester Electronics | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 5-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, MS-001AA, MS-001AA, 14 PIN | 8 | - | |
 CA3045Bipolar RF Transistors | Rochester Electronics | CA3045 - RF SMALL SIGNAL BIPOLAR / RF Transistor | 재고 | - | |
 CA3146AEBipolar RF Transistors | Rochester Electronics | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 5-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, MS-001AA, PLASTIC, DIP-14 | 재고 | - | |
 BFP842ESDH6327Bipolar RF Transistors | Rochester Electronics | ULTRA LOW-NOISE TRANSISTOR | 2018 | - |
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