BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
2SC3731-T-ASingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | 42500 | - | |
2SC945A-T-ASingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | 6723405 | - | |
2SA954-ASingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | TRANS PNP 80V 0.3A TO92 | 59705 | - | |
2SC1841-ASingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | 0.05A, 120V, NPN, TO-92 | 73522 | - | |
2SC5005-T1Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD | 3764 | - | |
2SD2383-T1BSingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | 재고 | - | ||
2SD1699Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | Trans Darlington NPN 80V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 | 9005 | - | |
2SC2785-FSingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | 20215 | - | ||
2SA1743Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F / PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING | 재고 | - | |
2SD882PSingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin TO-126 | 재고 | - | |
2SC4184Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | UHF OSCILLATOR AND VHF MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD | 3007 | - | |
2SD1692Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR | 재고 | - | |
2SC1941Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | 1402 | - | |
2SD1695Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING | 재고 | - | |
UPA1437HSingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE | 재고 | - | |
2SC2958Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR Audio Frequency Power Amplifier | 2518 | - | |
2SA1720Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING | 9720 | - | |
2SD1818Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON POWER TRANSISTOR | 6790 | - | |
2SB1430Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING | 재고 | - | |
KA4A3Q-T1Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | 27003 | - | ||
2SD2164Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING | 8802 | - | |
2SA733QSingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | 재고 | - | ||
UPD31577S1-F6Single Bipolar Transistors | NEC Corporation | 8338 | - | ||
2SA1006BSingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | 재고 | - | |
FA1A4MSingle Bipolar Transistors | NEC Corporation | MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD | 23717 | - |