단일 IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터)는 고전류를 처리할 수 있고 빠른 스위칭 기능을 갖춘 3개의 단자가 있는 다층 반도체 장치입니다. 이는 유형, 컬렉터-이미터 항복 전압, 컬렉터 전류, 펄스 컬렉터 전류, VCE(ON), 스위칭 에너지 및 게이트 전하로 특성화됩니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
MBQ50T65FDSCTHSingle IGBTs | MagnaChip Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 재고 | - | |
MBQ40T120FDSTHSingle IGBTs | MagnaChip Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 재고 | - | |
MBQ40T65FDHCTHSingle IGBTs | MagnaChip Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 재고 | - | |
MBQ60T65PESTHSingle IGBTs | MagnaChip Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 1512 | - | |
MBF15T65PEHTHSingle IGBTs | MagnaChip Semiconductor | 650V Field Stop IGBT | 3567 | - | |
MBQ40T120FESTHSingle IGBTs | MagnaChip Semiconductor | High speed Field Stop Trench IGBT | 1392 | 1+: $3.23828 10+: $2.74800 30+: $2.44115
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MBQ40T65QESTHSingle IGBTs | MagnaChip Semiconductor | Low Conduction Ultra High Speed IGBT | 246 | 1+: $1.74000 10+: $1.46228 30+: $1.30972
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