이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
GPI65005DFSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6 | 167 | - | |
GPI65060DFNSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8 | 94 | - | |
GPI65010DF56Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6 | 283 | - | |
GPIHV30SB5LSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L | 82 | - | |
GPI65008DF56Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6 | 100 | - | |
GPI65015TOSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 650V 15A TO220 | 94 | - | |
GPI65015DFNSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8 | 180 | - | |
GPI65030DFNSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8 | 100 | - | |
GPIXV30DFNSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8 | 185 | - | |
GPI65007DF56Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6 | 40 | - | |
GPI65030TO5LSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L | 86 | - | |
GPI65007DF88Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8 | 500 | - | |
GPI65008DF68Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8 | 990 | - | |
GPIHV10DKSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 1200V 10A TO252 | 278 | - | |
GPIHV7DKSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 1200V 7A TO252 | 467 | - | |
GPI65005DF68Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8 | 470 | - | |
GPI90010DF88Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8 | 3000 | - | |
GPI65060DFCSingle FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu | 97 | - | |
GPI90005DF88Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8 | 100 | - | |
GPI90007DF88Single FETs, MOSFETs | GaNPower | GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8 | 665 | - |