이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
CGD65A130S2-T13Single FETs, MOSFETs | Cambridge GaN Devices | 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8. | 3362 | - | |
CGD65A055S2-T07Single FETs, MOSFETs | Cambridge GaN Devices | 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W | 774 | - | |
CGD65B200S2-T13Single FETs, MOSFETs | Cambridge GaN Devices | 650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6. | 4377 | - | |
CGD65B130S2-T13Single FETs, MOSFETs | Cambridge GaN Devices | 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6. | 4900 | - |