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단일 FET, MOSFET
(15 결과)이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 AS3401Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 13280 | 1+: $0.03740 10+: $0.02900 30+: $0.02430
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 AS1M025120PSingle FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER | 124 | - | |
 AS1M025120TSingle FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER | 15 | - | |
 AS2324Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 44180 | 1+: $0.03330 10+: $0.02610 30+: $0.02210
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 AS2312Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 4967 | - | |
 AS2302Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 10740 | 1+: $0.03690 10+: $0.02950 30+: $0.02530
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 AS1M040120TSingle FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER | 27 | - | |
 AS1M080120PSingle FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER | 92 | - | |
 AS2M040120PSingle FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER | 51 | - | |
 BSS138Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 187731 | - | |
 AS3400Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 6567 | - | |
 2N7002ESingle FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT | 19305 | - | |
 BSS84Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 128299 | - | |
 BSS123Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 143894 | - | |
 AS6004Single FETs, MOSFETs | Anbon Semiconductor | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 400 | - |
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